關(guān)于乳腺X射線CR設(shè)備專用檢測方法 -3

IP擦除性

選擇廠家建議的IP處理條件，參見附錄G中表G.1。

將4 cm厚的PMMA模體縱向置于乳房支撐臺的一邊，覆蓋住IP的半邊，如圖3中的左邊白色區(qū)域。

選擇臨床常用條件進行手動曝光（如28 kV，30 mAs～50 mAs），并對IP進行讀取。 將 4 cm 厚的PMMA模體橫向置于乳房支撐臺的中心，將0.1 mm厚的鋁片置于PMMA模體上方中心處。使用同一塊IP，用 15.5.2中同樣的曝光條件再次對IP進行曝光。兩次曝光時間間隔應(yīng)盡量短。 15.5.5 獲取第二次曝光的影像，按照下圖測量1區(qū)、2區(qū)和3區(qū)的平均像素值。 利用9.3.2中描述的方法對平均像素值進行線性化處理。